P 型半導體 (P-Type)

摻雜三價元素(如硼),主要載子為電洞 (+ Hole)。極性連至陽極 (Anode)。

N 型半導體 (N-Type)

摻雜五價元素(如磷),主要載子為自由電子 (- Electron)。極性連至陰極 (Cathode)。

二極體微觀物理模擬器 零偏壓 (0.00 V)
P 型 (陽極)
N 型 (陰極)
空乏區 (20.0 nm) 位障: 0.70 V
計算電流 I ≈ 0.00 mA
-5.0V(大逆偏) -2.5V 0.0V(無偏壓) +0.7V(Vth) +1.2V(順偏)

零偏壓平衡狀態

未外加電壓時,P型與N型接面處的電洞與電子互相擴散結合,形成預設的空乏區(約 20nm)。內部產生的建置電位(矽材約 0.7V)剛好抵銷擴散作用,達到動態平衡。

💡 任務提示:拖動滑桿體驗從逆向阻斷到順向導通的連續物理變化!
I-V 特性曲線圖 (Silicon) (0.00V, 0.0mA)

實習工程師進階考核

透過剛才連續微調偏壓的觀察,回答以下觀念問題: